近年來，UV LED的產品功率得到極大的提升，技術也進一步發展。憑借使用壽命較長、體積小、光輸出均勻且省電等優勢，再加上國際禁用水銀(汞)的《水俁公約》在2013年簽署通過后，離全面禁用水銀的2020年時間只剩下三年，包括日本、中國 、歐盟等多個市場正需要UV LED來替換紫外線水銀燈管，這也加速刺激了UV LED市場在全球各地的起飛。
根據TrendForce LED研究中心(LEDinside)最新發布的《2017 紫外線 LED 與模塊應用市場報告》顯示，紫外線 LED產品持續積極開展于各應用之中，加上水俁公約、節電優惠等政策推廣，LEDinside預估UV LED市場產值于2017年將成長至2.88億美金;2020年將會到達5.26億美金，2015-2020 年復合成長率達34%。
可以預見到，UV LED極具發展的潛力，市場商機無限。因此，UV LED將成國內外企業加速布局的一個項目，UV LED市場將迎來爆發。回顧2017年，國內外企業對UV LED做了哪些布局?技術有何進展?為此，LEDinside對2017年UV LED的相關事件做了簡單的整理，以饗讀者。
【企業動態】
砸4.86億元!臺塑化攜手日機裝發展UV-LED
2017年1月25日，臺塑化宣布與日商日機裝(Nikkiso)攜手發展UV-LED事業，生產深紫外光LED(Deep UV LED)晶粒及銷售深紫外光應用產品，該合作案將聚焦于水殺菌、空氣殺菌、樹脂固化及分析設備等。
據了解，先前Nikkiso規劃先臺塑化設立合資公司，由Nikkiso取得合資公司51%股權，該UV-LED廠的設備投資額80億日元(折合人民幣約4.86億元)，雙方將會用臺塑所擁有的半導體、照明用LED量產技術及現有設備，強化成本條件，預期合作順利啟動后，屆時封裝、測試業務可望由臺塑集團旗下福懋科負責。
助力UV-CLED器件開發，歐司朗與HexaTech簽戰略協議
2017年2月15日，全球領先的AlN單晶基板供應商HexaTech公司宣布，公司與德國雷根斯堡的歐司朗光電半導體有限公司簽署兩項戰略協議。這些協議包括長期供應協議和若干HexaTech的知識產權(IP)許可，其中，前者涉及作為HexaTech公司2英寸(直徑)基板開發項目的直接支持的氮化鋁(AlN)基板。對HexaTech的氮化鋁(AlN)基板的長期供應承諾，直接支持HexaTech的2英寸(直徑)基板開發計劃，以及授權某些HexaTech知識產權(IP)。HexaTech首席執行官John Goehrke表示，通過授權HexaTech的技術，歐司朗能夠加速其基于HexaTech材料的UV-CLED器件開發。
日本德山與斯坦利擴大在UV LED領域的合作
2017年2月，日本化學大廠德山(Tokuyama)與日本電氣設備大廠斯坦利電氣(Stanley Electric)決定，在深紫外線LED領域擴大合作，德山維持深紫外線LED材料研發，而晶圓生產、封裝、與產品制造銷售等業務，由Stanley Electric負責。德山的深紫外線LED晶圓生產線及專利，均轉讓給StanleyElectric。
歐司朗收購LED EnginInc.，特種照明布局再下一城
2017年6月6日，歐司朗發布通告，公司將收購位于美國加利福尼亞州圣荷西的LED供應商LED EnginInc.。LED Engin是一家專注于提供適用于娛樂照明、紫外線、園藝、可調白光和醫療照明應用等專業市場的超亮、超緊湊的固態照明解決方案，其產品主要采用歐司朗光電半導體的LED芯片。
其中，在紫外線產品上，LED Engin為工業應用(如印刷，固化和牙科市場)提供強大的UV LED。
RayVio攜手Digi-Key Electronics，推進UV LED技術
8月底，先進的公眾健康和衛生公司RayVio簽訂新的經銷協議，其UVB和UVC LED，將可透過全球電子元件經銷商 Digi-Key Electronics 向全球立即出貨。
歐司朗牽頭成立研究小組開發高功率UV LED
12月初，歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors)表示，目前正牽頭一個由德國政府出資的研究小組，共同開發一款高功率、面向大眾市場的紫外(UV)LED芯片。其希望在2020年前開發一款250 nm波長到310 nm左右的原型，涵蓋部分UV-B和UV-C光譜。歐司朗表示，新的高功率芯片“也有可能開辟新的應用領域”。
【技術進展】
日機裝更大功率UV LED應用在凈水系統上
在Nepcon Japan 2017年展覽上，日機裝技研的技術領導人宮內淳表示，日機裝目前的技術已經把標準品的規格，從30mW提升到45mW，在順方向電壓，6V的情況下，已經成功地把UV紫外線光取出效率給提升了，熱抵抗值也從15K/W變成7K/W。
據悉，日裝機采用AlGaNon Sapphire技術，并將于2017年推出285nm波長的UV-CLED，于350mA、6V之下可達到45mW，透過使用反射層，熱阻可降為7K/W。
美團隊研發高效深紫外LED，創業界最低波長紀錄
今年3月，美國康乃爾大學的研究團隊，研發出一種體積小且更環保的深紫外線LED光源，并創下目前業界deep-UV LED最低波長的紀錄。研究人員采用原子級控制界面的氮化鎵(GaN)與氮化鋁(AlN)單層薄膜為反應作用區域，成功發射出波長介于232到270奈米的深紫外LED。這種232奈米的深紫外線，創下使用氮化鎵為發光材料，所發出的光線波長最短記錄。之前的記錄是由日本團隊創下的239奈米。
國星光電通過特殊成型工藝可提高紫外LED光功率
針對市場提高光功率的要求，國星在2017年光亞展期間全新推出了具有高性價比、高光功率的一次透鏡成型紫外LED。據介紹，其在原有的TOP支架基礎上，通過特殊成型工藝增加半球透鏡，最高可提高60%的紫外LED光功率，保證產品在使用過程中表現更出色。
LG Innotek研發出全球首個“100mW”殺菌紫外線UV-C LED
LG Innotek研發出全球首個殺菌紫外線UV(Ultraviolet rays，紫外線)-C LED，輸出功率可高達100毫瓦(mW)。LG Innotek應用光輸出最大化的外延結構及垂直芯片技術，打破了技術限制。提高紫外線輸出，有效排放熱，確保了穩定的品質可行性。100mW 1個LED可以放射強力殺菌紫外線達1萬小時以上。
青島杰生再次實現技術突破，成功推出3瓦UV-C LED燈
12月22日，圓融杰生再次宣布推出3瓦級別的超大輸出功率275納米UV-C深紫外LED燈。經過國標校準的積分球測試，該275納米UV-C深紫外LED燈的光輸出功率在3.6安培直流電下達到3瓦光輸出功率。預計此3瓦級別的UV-C LEDs燈的工作壽命可以達到5000小時。
